在igbt使用過程中的注意事項

日期：2025-09-28 23:14

瀏覽次數：845

摘要：

IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發射極。

在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態。

2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態。

3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態（正常工作）。此時，空穴從P+區注入到N基區進行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態壓降降低。

尊敬的客戶：

　　本公司還有igbt模塊、英飛凌模塊、三菱igbt產品，您可以通過網頁撥打本公司的服務電話了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！